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      高壓可控硅的主要參數(shù)
      
        
      
        
      
             可控硅的主要參數(shù) 
      高壓可控硅的主要參數(shù)有： 
      1、 額定通態(tài)均勻電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的均勻值。 
      2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩真?zhèn)€正向峰值電壓。高壓可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。 
      3、 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在高壓可控硅兩真?zhèn)€反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。 
      4、 控制極觸發(fā)電流Ig1 、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態(tài)轉為導通狀態(tài)所需要的*小控制極電流和電壓。 
      5、 維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必須的*小陽極正向電流。 
      近年來，很多新型高壓可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。

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          您好，我司是一支技術力量雄厚的高素質的開發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質產品、完整的解決方案和上等的技術服務公司。主要產品有單向可控硅、雙向可控硅、可控硅等。
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