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      技術(shù)文章
      
        
      

            
    
      
        
        
      
            
      可控硅的結(jié)構(gòu)
      
        
      
        
      
            
             以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因?yàn)榫чl管*初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR?！?br>
             在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。 　　

             可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過此頻率,因元件開關(guān)損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用. 　　可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等?！　?br>
             可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通. 　　可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形.       
        
      
    
      

        
      
    
      

      

      
    

      



      
    
      

      

      
    

      



      
        
        
        
    
      
    


				 	
      
		 		
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