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      雙向可控硅的正向特性
      
        
      
        
      
            雙向可控硅的正向特性：
      　　當雙向可控硅控制極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當電壓增加，特性發(fā)生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓，由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后，J2結發(fā)生雪崩倍增效應，在結區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時入N1區(qū)，空穴時入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結注入N1區(qū)的空穴復合，同樣，進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結注入P2區(qū)的電子復合，雪崩擊穿，進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負阻特性。       
        
      
    
      

        
      
    
      

      

      
    

      



      
    
      

      

      
    

      



      
        
        
        
    
      
    


				 	
      
		 		
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