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    1. 公司新聞

      2012年全球前5大半導(dǎo)體廠資本支出占全球半導(dǎo)體資本支出達(dá)64%

      2012年全球前5大半導(dǎo)體廠資本支出占全球半導(dǎo)體資本支出達(dá)64%
      2012年全球半導(dǎo)體廠仍擴(kuò)增資本支出,但集中在前幾大晶圓廠身上,涵蓋全球前5大半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)、英特爾(Intel)、臺(tái)積電、海力士(Hynix)和GlobalFoundries,其2012年的資本支出占全球半導(dǎo)體資本支出達(dá)64%。

        根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights統(tǒng)計(jì),2012年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出約614億美元,相較于2011年656億美元約下滑6%,但其中有6家半導(dǎo)體業(yè)者在2012年的資本支出會(huì)較前一年增加,而前5大半導(dǎo)體廠的資本支出分別為三星電子131億美元、英特爾112億美元、臺(tái)積電約83億美元、海力士約37億美元、GlobalFoundries約31億美元。

        對(duì)比7年前,也就是2005年時(shí),全球前5大半導(dǎo)體廠的資本支出僅占全球40%,前10大半導(dǎo)體廠資本支出也僅占55%,顯見(jiàn)全球半導(dǎo)體廠未來(lái)是往經(jīng)濟(jì)規(guī)模越大者靠攏,且晶圓代工產(chǎn)業(yè)會(huì)是半導(dǎo)體廠紛紛欲跨入的領(lǐng)域。

        在臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面,過(guò)去是以晶圓代工和存儲(chǔ)器為主,但自從DRAM產(chǎn)業(yè)逐漸沒(méi)落后,未來(lái)的成長(zhǎng)動(dòng)能會(huì)集中在晶圓代工產(chǎn)業(yè)身上,而2012年臺(tái)積電和聯(lián)電分別有在南科擴(kuò)產(chǎn)12寸晶圓廠的動(dòng)作。

       

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